Numărul de produs al producătorului:
BUZ32 H
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
BUZ32 H-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 9.5A (Tc) 75W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventar:
12801500
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BUZ32 H Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
SIPMOS®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9.5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
530 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
75W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
BUZ32 H-DG
BUZ32H
BUZ32HXKSA1
SP000682998
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF630
PRODUCĂTOR
Harris Corporation
CANTITATE DISPONIBILĂ
11535
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF630-DG
PREȚ UNIC
0.80
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BSR316PL6327HTSA1
MOSFET P-CH 100V 360MA SC59
BSC0503NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 22A/88A TDSON
IPB50N10S3L16ATMA1
MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3